Samsung начинает массовое производство флеш-памяти на 512 ГБ eUFS

512GB eUFS Состоит из восьми 64-слойных чипов V-NAND с 512 ГБ и микросхемы контроллера, которые сложены вместе. Он также удваивает предыдущие 48-дюймовые eUFS на базе 256-дюймовых V-NAND от Samsung в одном и том же пространстве. Samsung заявляет, что новая увеличенная емкость eUFS обеспечит гораздо более обширный мобильный опыт и емкость для хранения примерно 130 видеороликов с разрешением 4 КБ Ultra HD (3840 × 2160) продолжительностью 10 минут.

Samsung представила новый набор проприетарных технологий для максимизации энергоэффективности, а также производительности новой 512U eUFS. 64-слойный дизайн V-NAND на 512 Гб и новая технология управления энергопотреблением минимизируют неизбежное увеличение потребляемой энергии, и это стоит отметить, потому что решение 512U eUFS содержит в два раза больше ячеек по сравнению с eUFS емкостью 256 ГБ.

Контроллер-чип 512U eUFS также способен ускорить процесс сопоставления для преобразования адресов логических блоков в физические блоки. Он смог достичь до 860 МБ / с и 255 Мбайт / с соответственно в своих возможностях чтения и записи, а также способен передавать 5 ГБ видеоизображения в формате HD на SSD примерно через шесть секунд.

Samsung говорит, что новая UFS может читать 42 000 IOPS и записывать 40 000 IOPS, что в 400 раз быстрее, чем скорость обычной карты microSD. Samsung также планирует увеличить производство V-NAND с 256 ГБ.

Jaesoo Han, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу Samsung Electronics сказал:

лучшее встроенное решение для хранения премиальных смартфонов нового поколения, преодолевая потенциальные ограничения производительности системы, которые могут возникать при использовании карт micro SD. Обеспечивая раннее, стабильное предложение этого усовершенствованного встроенного хранилища, Samsung делает большой шаг вперед, способствуя своевременному запуску мобильных устройств следующего поколения мобильными производителями по всему миру.